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半导体研磨废水怎么处理|半导体研磨废水如何处理

新项目背景图片 本项目是在华东地方地方全家人品牌半导体材料研制中小型企业,主要分娩8厘米和12厘米晶圆。现在产值升高,抛光流程制造的废出液量从原本的200吨/日提高到350吨/日,原本补救设施设备已没有办法满足了各种需求,且出液水体质量不保持稳定,亟待改建和创新污废水 补救设计。 废渣基本成分及因素 该公司打磨生产废水包括来源于下列道工序: 催化机打磨(CMP)生产废水:内含二防空气氧化硅、防空气氧化铁等打磨顆粒,粒度分布在0.1-1μm使用范围 晶圆正背研磨设备化工废水:带有硅粉、塑料亚铁离子(铜、铝等)及少量出生物碳增长剂 切成片研磨设备废污水:首要物质为增碳硅科粒和切油面霜 废渣性质体现为:pH值起伏大(2-11)、飘浮物浓度值高(500-2000mg/L)、包含的氢化物发生器血本属和难分解生产物,COD一般在200-500mg/L範圍。 工作加工制作工艺 步骤流程 反复小试和中试,最中断定分为下面补救加工: 上下调整池 :設置pH免费环境监测网和平台自动加量平台,将化工废水pH维持在6.5-7.5比率 混泥土结晶 :添加缩聚氯化铝(PAC)和阴阳离子型聚乙烯塑料酰胺(PAM),分层反应迟钝后进入斜板析出池 溶气气浮 :通过环节循环式溶气气浮,切实骤去掉的细小颗粒物和悬浊液有机物 多材质过滤程序 :选取石英石砂+活力炭有级活性炭过滤,加强组织领导出水出水SS<10mg/L 膜除理操作系统 :其中包括反加入装置(UF)和反加入(RO)两极,RO浓水同时操作 淤泥除理 :水解主气浮淤泥经板框压滤后土石方工程代理 关键点艺性能参数:混泥土阶段中,G值把控好在60-80s⁻¹,现象期限15min;气浮此回流比30%,滞留期限20min;ro反渗透到膜通量60LMH,ro反渗透到回收处理率75%。 后面效用 设备操作固定后,有水出生活饮用水仍然达到《自动化工农业水危害物直接排放口准则》(GB39731-2020)特殊直接排放口标准值的要求,主要完成指标下面的: SS<5mg/L(剔除率>99%) COD<30mg/L(出掉率>93%) 铜阴阳离子<0.3mg/L 出水量回收率到达65%及以上 污水减量化40% compared to原工艺流程 某项目总投资者约1200亿元,开机运行价格约8.5元/吨水,去年可减轻焦化废水排卸量8千吨,收废水资源保护性4千吨,区域经济效果和生态环境效果强势。

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