某半导体芯片手工制造制造业企业因晶圆难以清理工艺程序存在含氨污废水 ，蓄水量200吨/天。污废水 中除氯离子外还带有氟化物和微量分析巨资属，处置关卡大。本地人产生规定符合要求氯离子＜5mg/L，氟化物＜3mg/L。 电镀废水因素及來源 晶圆洁净焦化废水（一般来原）：含挥发酚200-300mg/L，氟化物50-80mg/L 刻蚀工艺程序废水处理：含氢化物发生器铜、镍等巨资属，pH值起伏较大大 CMP研磨设备工业废水：含硅小粒及氟化物 操作工艺设计方案 用"催化沉垫+膜破乳+折点氯化"組合的工艺： 预处置 ：添加CaCl2除氟，抑制pH在7.5-8. 反渗透装置系统的 ：洗去0.01μm这科粒物 ro反渗透性浓缩咖啡 ：将氯离子溶缩至1000mg/L往上 折点氯化 ：精确度高控住氯加药系统量，将氯离子图片转换为氢气 正离子对换 ：保证巨资属标准 最中成效 氟化物稳定性＜3mg/L，氟化物＜1mg/L 高价属含氧量大于探测限 水回收率达75% 废水所产生量极大减少40%